Miksi luotat yrityksesi meihin?
Otamme paniikin pois hankinnoista. Meillä on varastossa miljoonia vaikeasti löydettäviä osia luotettavista lähteistä. Päivitämme tuotelistamme minuutteina, ja online-ostot suoritetaan reaaliajassa ja toimitetaan päivittäin.
Vuonna 2002 perustettu MFGChips on paikallinen johtava elektroniikkakomponenttien jakelu, ja se tunnustetaan myös yhdeksi arvostetuimmista ja innovatiivisimmista yrityksistä paikallisilla markkinoilla nykyään. Hongkongissa sijaitseva MFGChips on saanut vaikuttavan maineen tarjoamalla erinomaista palvelua ja kehittämällä tehokkaita, kattavia globaaleja toimitusketjuratkaisuja.
Lisätietoja >
Muistin kaistanleveyden työntäminen tekoälyn aikakauteen
Kaksinkertaistetut I/O-liitännät ja hienostunut pienjännitteinen TSV-suunnittelu mahdollistavat HBM4:n tavan, jolla muistipinot ylläpitävät suorituskykyä datakeskuksen mittakaavakuormituksen aikana.
Samsung Electronics on esitellyt HBM4-muistinsa ja aloittanut massatuotannon, mikä merkitsee alan ensimmäisenä seuraavan sukupolven suuren kaistanleveyden muististandardia.Laite on kohdistettu tekoälynlaskentaan ja datakeskusten työkuormiin, jotka vaativat suurempaa suorituskykyä ja energiatehokkuutta.
Yhtiön kuudennen sukupolven 10nm-luokan DRAM-prosessia (1c) ja 4nm:n logiikkaperussuutinta käyttämällä rakennettu uusi muistipino on suunniteltu maksimoimaan suorituskyvyn, luotettavuuden ja tehon tehokkuuden.Arkkitehtuuri tarjoaa tasaisen 11,7 Gbps:n tiedonsiirtonopeuden ja suorituskyvyn skaalautuvan jopa 13 Gbps:iin.Tämä ylittää alan 8 Gbps:n vertailuarvon noin 46 prosentilla ja edustaa 1,22-kertaista lisäystä HBM3E:n 9,6 Gbps:n enimmäispinopeuteen verrattuna.
Kokonaiskaistanleveys pinoa kohden saavuttaa jopa 3,3 Tt/s, mikä on 2,7-kertainen kasvu edeltäjäänsä verrattuna.12-kerroksisen pinoamisteknologian ansiosta kapasiteetit vaihtelevat 24 Gt:sta 36 Gt:iin, ja tulevan 16-kerroksisen kokoonpanon on suunniteltu laajentavan kapasiteettia jopa 48 Gt:iin.
Tietojen I/O-liitäntöjen kaksinkertaistuminen 1 024 nastasta 2 048 nastaan puuttuu, ytimen suuttimeen integroitiin kehittyneitä pienitehoisia suunnittelutekniikoita.Muisti parantaa tehokkuutta 40 % TSV-tekniikan ja sähkönjakeluverkon optimoinnin ansiosta.Lämmönkestävyys paranee 10 %, kun taas lämmönpoisto kasvaa 30 % verrattuna HBM3E:hen.
Tiukasti integroitu suunnitteluteknologian yhteisoptimointi (DTCO) valimo- ja muistitoimintojen välillä tukee tuoton ja laadun valvontaa, kun taas talon sisäiset edistyneet pakkausominaisuudet auttavat virtaviivaistamaan tuotantosyklejä.
Sang Joon Hwang, Samsungin varatoimitusjohtaja ja muistikehitysjohtaja, sanoo: "Hyödyntämällä prosessien kilpailukykyä ja suunnittelun optimointia pystymme varmistamaan huomattavan suorituskyvyn liikkumavaraa, mikä mahdollistaa asiakkaidemme kasvavan suorituskyvyn vaatimukset, kun he niitä tarvitsevat."