Miksi luotat yrityksesi meihin?
Otamme paniikin pois hankinnoista. Meillä on varastossa miljoonia vaikeasti löydettäviä osia luotettavista lähteistä. Päivitämme tuotelistamme minuutteina, ja online-ostot suoritetaan reaaliajassa ja toimitetaan päivittäin.
Vuonna 2002 perustettu MFGChips on paikallinen johtava elektroniikkakomponenttien jakelu, ja se tunnustetaan myös yhdeksi arvostetuimmista ja innovatiivisimmista yrityksistä paikallisilla markkinoilla nykyään. Hongkongissa sijaitseva MFGChips on saanut vaikuttavan maineen tarjoamalla erinomaista palvelua ja kehittämällä tehokkaita, kattavia globaaleja toimitusketjuratkaisuja.
Lisätietoja >
Sic Mosfet -perhe vallan muuntamiseksi
AEC-Q101: n pätevät paljaat die- ja erilliset pakatut laitteet läpikäyvät WLBI-seulonnan, ja ne testataan lumivyöryn jakautumisjännitteestä, joka ylittää 2200 V.
Semiq Inc. on ottanut käyttöön uuden 1700 V: n sic-mosfetsin perheen, joka on suunniteltu parantamaan keskijännitteen, suuritehoisia muuntamissovelluksia.Näitä ovat aurinkosähkö- ja tuulen invertterit, energian varastointi, sähköajoneuvo (EV) ja tienvarsien lataus, keskeyttämättömät virtalähteet (UP) ja induktiolämmitys-/hitsausjärjestelmät.
Nopea QSIC 1700 V MOSFETS -sovelluksessa on tasomainen D-Mosfet-suunnittelu, järjestelmän koon, tehon tiheyden ja kustannustehokkuuden optimoinnin suurten sovellusten optimointi.Niiden luotettava rungon diodi toimii jopa 175 ° C: seen, ja komponentit testataan tiukasti yli 1900 V: n ja UL-lumivyöryn testaamiseksi 600 MJ: lle, varmistaen kestävyyden ja vankan suorituskyvyn.
Tärkeimmät tekniset tiedot ovat:
Alumiini -yläosa, nikkeli/hopea pohjapuoli
Tehon hajoaminen: 564 W
Jatkuva tyhjennysvirta: 83 A @ 25 ° C
Pulssiviemärivirta: 250 a
Portin kynnysjännite: 2,7 V @ 25 ° C
Rdson: 31 MΩ @ 25 ° C
Nopea käänteinen palautumisaika: 17 ns
Matala portin lähteen vuoto
QSIC 1700 V -laitteita on saatavana sekä paljaissa die (GP2T030A170X) että TO-247-4L-pakattuissa lomakkeissa (GP2T030A170H), myös AEC-Q101-autoteollisuuden määritetty versio (AS2T030A170X ja AS2T030A170H).Nämä laitteet tarjoavat alhaisen kytkentä- ja johtamishäviöt, vähentyneen kapasitanssin ja kestävän portioksidin parantuneen pitkäaikaisen luotettavuuden saavuttamiseksi.Kaikille komponenteille tehdään kiekkotason poltto (WLBI) heikkojen oksidilaitteiden poistamiseksi, mikä takaa optimaalisen suorituskyvyn.
Lisäksi Semiq on ilmoittanut kolme voimamoduulia, jotka on suunniteltu yksinkertaistamaan järjestelmän integraatiota.Näitä ovat vakiojalkaprosentti 62 mm puoli-siltamoduuli, jossa on eristetty pohjalevy ja kaksi SOT-227-pakattuja tehomoduuleja, jotka parantavat tehotiheyttä ja yksinkertaistavat asennusprosesseja.
Tehomoduulit tarjoavat suuremman tehon hajoamisen, kun SOT-227-versiot tarjoavat 652 W: n virranhaukkailun ja puoliseitsenmoduulin, joka tarjoaa jopa 2113 W hajoamisen, mikä varmistaa parantuneen lämpöhallinnan korkean suorituskyvyn sovelluksille.
Semiq Inc. on ottanut käyttöön uuden 1700 V: n sic-mosfetsin perheen, joka on suunniteltu parantamaan keskijännitteen, suuritehoisia muuntamissovelluksia.Näitä ovat aurinkosähkö- ja tuulen invertterit, energian varastointi, sähköajoneuvo (EV) ja tienvarsien lataus, keskeyttämättömät virtalähteet (UP) ja induktiolämmitys-/hitsausjärjestelmät.
Nopea QSIC 1700 V MOSFETS -sovelluksessa on tasomainen D-Mosfet-suunnittelu, järjestelmän koon, tehon tiheyden ja kustannustehokkuuden optimoinnin suurten sovellusten optimointi.Niiden luotettava rungon diodi toimii jopa 175 ° C: seen, ja komponentit testataan tiukasti yli 1900 V: n ja UL-lumivyöryn testaamiseksi 600 MJ: lle, varmistaen kestävyyden ja vankan suorituskyvyn.
Tärkeimmät tekniset tiedot ovat:
Alumiini -yläosa, nikkeli/hopea pohjapuoli
Tehon hajoaminen: 564 W
Jatkuva tyhjennysvirta: 83 A @ 25 ° C
Pulssiviemärivirta: 250 a
Portin kynnysjännite: 2,7 V @ 25 ° C
Rdson: 31 MΩ @ 25 ° C
Nopea käänteinen palautumisaika: 17 ns
Matala portin lähteen vuoto
QSIC 1700 V -laitteita on saatavana sekä paljaissa die (GP2T030A170X) että TO-247-4L-pakattuissa lomakkeissa (GP2T030A170H), myös AEC-Q101-autoteollisuuden määritetty versio (AS2T030A170X ja AS2T030A170H).Nämä laitteet tarjoavat alhaisen kytkentä- ja johtamishäviöt, vähentyneen kapasitanssin ja kestävän portioksidin parantuneen pitkäaikaisen luotettavuuden saavuttamiseksi.Kaikille komponenteille tehdään kiekkotason poltto (WLBI) heikkojen oksidilaitteiden poistamiseksi, mikä takaa optimaalisen suorituskyvyn.
Lisäksi Semiq on ilmoittanut kolme voimamoduulia, jotka on suunniteltu yksinkertaistamaan järjestelmän integraatiota.Näitä ovat vakiojalkaprosentti 62 mm puoli-siltamoduuli, jossa on eristetty pohjalevy ja kaksi SOT-227-pakattuja tehomoduuleja, jotka parantavat tehotiheyttä ja yksinkertaistavat asennusprosesseja.
Tehomoduulit tarjoavat suuremman tehon hajoamisen, kun SOT-227-versiot tarjoavat 652 W: n virranhaukkailun ja puoliseitsenmoduulin, joka tarjoaa jopa 2113 W hajoamisen, mikä varmistaa parantuneen lämpöhallinnan korkean suorituskyvyn sovelluksille.