KotiTuotteetIntegroidut piirit (IC)MuistiTC58BVG2S0HBAI4
TC58BVG2S0HBAI4 Image
Kuvat ovat vain viitteellisiä. Katso tuotetiedot

TC58BVG2S0HBAI4

Mfr# TC58BVG2S0HBAI4
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
Kuvaus IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
RoHs-tila Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Lisää tietoa Lisää tietoa Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG2S0HBAI4: sta
lomakkeissa TC58BVG2S0HBAI4.pdf

Kuvaus

Voimme toimittaa TC58BVG2S0HBAI4: n, käyttää pyyntölainauslomaketta pyytää TC58BVG2S0HBAI4: n pirce- ja läpimenoaika. MFGChips on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija. 7+ miljoonalla rivillä käytettävissä olevia elektronisia komponentteja voidaan lähettää lyhyellä toimitusajalla, yli 250 tuhatta osanumeroa varastossa olevia elektronisia komponentteja välittömässä toimituksessa, joihin voi sisältyä osanumero TC58BVG2S0HBAI4 .TC58BVG2S0HBAI4: n hinta ja läpimenoaika määrästä riippuen vaaditaan, saatavuus ja varasto sijainti.Ota yhteyttä tänään ja myyntiedustajamme toimittaa sinulle osan # TC58BVG2S0HBAI4 hinnan ja toimituksen. Odotamme innolla yhteistyötä kanssasi luodaksemme pitkäaikaisia ​​yhteistyösuhteita.
Täytä kaikki vaadittavat kentät yhteystietosi. Napsauta "RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse. Tai lähetä meille sähköpostia: .
  • Varastossa:9631 pcs
  • Tilauksesta:0 pcs
  • minimi:1 pcs
  • Multiples:1 pcs
  • Tehtaan toimitusaika::Call

Käytä alla olevaa lomaketta tarjouspyynnön lähettämiseen

Tavoitehinta(USD)
*Määrä
*Osanumero
*Sähköposti
*Yhteyshenkilön nimi
*Puhelin
*Yhtiö
Viesti
Osa numero TC58BVG2S0HBAI4
Valmistaja Toshiba Memory America, Inc.
Kuvaus IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
Lyijytön tila / RoHS-tila Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä 9631 pcs
lomakkeissa TC58BVG2S0HBAI4.pdf
Kirjoita työkiertoaika - sana, sivu 25ns
Jännite - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
teknologia FLASH - NAND (SLC)
Toimittaja Device Package 63-TFBGA (9x11)
Sarja Benand™
Pakkaus Tray
Pakkaus / Case 63-VFBGA
Muut nimet ASTC58BVG2S0HBAI4
TC58BVG2S0HBAI4JDH
TC58BVG2S0HBAI4YCL
TC58BVG2S0HBAIJDH
Käyttölämpötila -40°C ~ 85°C (TA)
Asennustyyppi Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL) 3 (168 Hours)
muistin tyyppi Non-Volatile
muistin koko 4Gb (512M x 8)
Muistipiiri Parallel
Muistimuoto FLASH
Lyijytön tila / RoHS-tila Lead free / RoHS Compliant
Yksityiskohtainen kuvaus FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 63-TFBGA (9x11)
Access Time 25ns

Teollisuusuutisia